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浅谈OLED是否能在AR领域与高分辨率LCD竞争

日期: 2022-09-21
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在VR领域,提高显示面板的像素密度已经是一个明显的趋势。早期的VR头戴设备使用的是部分移动应用面板的规格,但像素密度(大约500PPI)太低,导致了所谓的 '门栅效应'。

Meta Quest 2通过使用773 PPI的单一液晶面板在成本和性能之间做出了妥协。然而,Meta和Pico 现在预计将推出具有1200PPI左右高分辨率LCD面板的高端头戴设备。

改用Micro OLED可以实现更高的对比度和更高的像素密度(在3000-4000PPI之间),但Micro OLED在超过1英寸时就会变得非常昂贵,因为该技术是基于半导体代工厂生产的Silicon CMOS背板。据eMagin称,目前VR头戴设备品牌要求显示的尺寸约为2英寸,以配合现有的光学系统。

传统的OLED技术被甩在了后面,因为精细金属掩膜(FMM)图案技术限制了像素密度。2018年,三星显示(SDC) 展示了806PPI和1200PPI的VR OLED面板 但没有立即进行大规模生产。索尼现在预计将推出新的PlayStation VR2 采用SDC的850PPI OLED面板。虽然这比上一代的OLED面板(615PPI)有所改进,但它仍然远远落后于目前的LCD面板可以达到的像素密度。

2018年,LG Display(LGD)和Google联合发表了一篇论文,其特点是说明4.3英寸的OLED面板达到1443PPI。他们通过使用WOLED和彩膜的方法规避了FMM限制的问题,这也是目前在Micro OLED和LGD自己的OLED电视面板中用到的方式。虽然它没有大规模生产,但1443PPI 表明OLED曾有可能直接与高分辨率LCD竞争。

目前还不清楚这种面板是否能够成功地商业化。然而,在今年的SID研讨会上,LGD终于发表了关于如何设计 1443PPI的LTPS背板。在这种情况下,子像素的面积只有17.6μm × 8.8μm。LGD使用了一个简单的2T1C电路来节省空间 但也开发了一种混合TFT背板,使用一个底层多晶硅(BGP)晶体管和一个顶层多晶硅(BGP)晶体管。

同时使用BGP和TGP有助于优化驱动电路中每个晶体管的特性。TGP晶体管 TGP晶体管被用来作为开关晶体管,使刷新率达到120Hz。BGP 晶体管被用作驱动晶体管,因为它允许更多的电流强度梯度。混合TFT结构也使LGD能够使用一个单一接触孔,而不是两个,这个单孔可以适应缩小的像素面积。









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